联发科技和台积电今天宣布了双方长期战略合作的一个重要里程碑。联发科技已成功开发出首款采用台积电尖端3纳米技术的芯片，该芯片将集成到其旗舰产品天玑片上系统(SoC)中。
对于两家制造商来说都是一项伟大的成就
这些芯片预计将于明年大规模生产。此次合作充分发挥了两家公司各自在芯片设计和制造方面的优势，共同打造具有高性能和出色功效的旗舰SoC，推动全球设备创新。
联发科技墨西哥业务开发总监 Hugo Simg Atilano 表示：“我们致力于实现利用世界上最先进的技术来开发对我们的生活产生积极影响的尖端产品的愿景。”
“台积电始终如一的制造能力和高品质 使联发科技能够凭借其卓越的旗舰芯片组设计脱颖而出，为全球客户提供卓越的性能和质量解决方案，并改善游戏市场的用户体验。标志性设备。”
技术将进入我们的口袋
台积电欧洲和亚洲销售高级副总裁 Cliff Hou 博士强调了联发科技与台积电在联发科技天玑 SoC开发方面的重要合作。侯说：
“这次合作表明，全球最先进的半导体技术触手可及，就像你口袋里的智能手机一样触手可及。”
“多年来，我们与联发科技密切合作，为市场带来了众多重大创新。“我们很荣幸能够在3 纳米及更新一代技术领域继续合作。”
3纳米和5纳米对比
台积电的3纳米制程技术可提供卓越的性能和出色的功效，为高性能计算和移动应用提供强有力的支持。
与台积电的N5工艺相比，台积电的3纳米技术目前在相同功耗下速度提升高达18% ，或者相同速度下功耗降低32%，同时逻辑性能提升约60%密度。
联发科技的天玑片上系统 (SoC) 采用尖端工艺技术制造，旨在满足用户在高速连接、人工智能和多媒体方面寻求增强体验的日益增长的需求。
联发科技的第一系列旗舰芯片将采用台积电的 3 纳米工艺，预计将于2024 年下半年开始为下一代设备提供动力，包括智能手机、平板电脑、智能汽车和各种其他设备。
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