igbt模块怎么测量好坏（igbt模块）

大家好,乐天来为大家解答以下的问题，关于igbt模块怎么测量好坏，igbt模块这个很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧！

1、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管.是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

2、GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。

3、IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

4、非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

5、IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。

6、当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。

7、附于漏注入区上的电极称为漏极。

8、 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。

9、反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。

本文分享完毕，希望对大家有所帮助。

标签：

免责声明：本文由用户上传，如有侵权请联系删除！