三星将推出一种革命性的新处理器制造方法，称为环门工艺——简称 GAA——但据报道，新工艺给三星电子带来了一些困难。该报告引用了采用新 GAA 工艺制造的新处理器的低良率，这可能进一步加剧过去几年世界一直在经历的芯片短缺。我们已联系三星征求意见，并会在收到回复后更新本文。
这是根据韩国商业邮报(通过SamMobile)的一份报告得出的，该报告涵盖了三星电子(三星的实际电子制造部门，与制造 Galaxy 手机的移动部门不同)通常与高通等公司签订合同的事实以及它自己的 Exynos 系列处理器。如果能够提高良率，三星电子可能会基于新的 GAA 3nm 工艺制造下一代 Snapdragon 和 Exynos。
当前一代处理器建立在 finFET 工艺之上，该工艺在处理器内部微小通道的四个侧面中的三个侧面上采用了电子门。GAA 改进了这一点，将所有四个边都用门包围，使三星电子能够将处理器的密度提高 1.35 倍。据说这会导致在相同功率水平下性能提高 35%，从而使处理器的运行功率比上一代低 50%。长话短说，这意味着更快的处理器和更长的电池寿命。
目前所有最好的 Android 手机都由高通骁龙处理器提供支持，而这种延迟可能意味着三星 Exynos 处理器将再次让位给高通的下一代处理器，据说后者是基于相同的 3nm 技术构建的。在今年与Galaxy S22等手机一起推出的逻辑命名为Snapdragon 8 Gen 1之后，该处理器可能会被称为 Snapdragon 8 Gen 2 作为继任者。
此前，我们看到三星电子由于良率困难而失去了高通在某些即将推出的处理器方面的业务。如果三星无法为即将到来的下一代处理器切换及时完善 3nm 处理器，历史很可能会重演，高通可能会选择台积电的工厂来生产下一代处理器。这种选择的不利之处在于，台积电仍在其 3nm 工艺中使用 finFET，这意味着三星电子的 GAA 构建的处理器在明年的这个时候可能会明显更快。
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