Anson Semiconductor推出业界最小的MOSFET 采用极其紧凑的薄型封装

安森美半导体功率MOSFET产品事业部副总裁PaulLeonard表示，“随着便携式电子产品的尺寸不断缩小，其板载功能不断增加，现在和未来对超小型和高性能元件的需求将持续不断，从而使功能丰富的便携式设备具有高能效和高功能性。NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ正好满足了这种需求，它使设计工程师能够指定具有所需特性和功能的设备，同时支持消费者现在所期望的纤薄和时尚的设计。」 1.44毫米). NTNS3193NZ是一款20 V单通道N沟道器件，当栅极-源极电压(VGS)为4.5V时，其典型导通电阻(RDS(on))为0.75。该器件与NTNS3A91PZ互补，后者是一款20V单通道P沟道器件，当VGS为4.5V时，其典型导通电阻为1.3 这两款新型MOSFET具有低导通阻抗、低阈值电压和1.5 V栅极驱动能力，在集成到便携式电子产品中时可大幅降低功耗，非常适合小信号负载开关、模拟开关和高速接口应用。这两种元件完全无铅、无卤素，符合RoHS标准。 价格 每批8000片的NTNS3193NZ和NTNS3A91PZ的单价分别为0.33美元和0.35美元。 关于安森美半导体

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