导读 三星已经开始了其3nm工艺节点的初始生产，该节点使用栅极全能(GAA)晶体管架构来提高性能，同时降低功耗。新工艺有望在比5nm工艺更小的表面
三星已经开始了其3nm工艺节点的初始生产，该节点使用栅极全能(GAA)晶体管架构来提高性能，同时降低功耗。
新工艺有望在比5nm工艺更小的表面积下提高性能。三星索赔与5nm相比，第一代3nm工艺将功耗降低了45%，同时性能提高了23%，表面积缩小了16%。第二代产品承诺性能更出色：功耗降低 50%，性能提高 30%，表面积减小 35%。
彭博社报道称，这家韩国科技巨头将于2022年上半年开始量产下一代芯片。据报道，三星是第一家开始生产3nm芯片的公司，击败了台积电。
三星指出，多桥通道FET的使用标志着GAA技术首次投入使用。
三星表示，它正在使用半导体芯片开始纳米片晶体管的首次应用，然后将其扩展到移动处理器，这将为未来最好的Android手机提供动力。这些类型的芯片专为高性能和低功耗计算应用而设计。
该公司使用3nm GAA技术来调整纳米片的通道宽度：纳米片的通道越宽，它实现的性能就越高，能源效率就越高。这与现有的GAA技术形成鲜明对比，这些技术使用具有较窄通道的纳米线。
该技术旨在优化功率，以满足客户的各种实际需求。据彭博社报道，三星正在其位于华城市的工厂生产3nm芯片，并计划将工作扩展到其平泽晶圆厂。
最初的生产始于4月份的报道，即三星由于良率低，其新的GAA 3nm制造工艺遇到了麻烦。
该公司似乎已经解决了这些问题，尽管它仍然需要完善其3nm芯片，以超越高通的Snapdragon系列。这家半导体巨头的下一代处理器也可能建立在3nm工艺上。它可能被称为Snapdragon 8 Gen 2。
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