在台积电北美技术研讨会上，该公司展示了其先进的逻辑，专业和3D IC技术，以及由纳米片晶体管供电的N2工艺以及用于N3和N3E工艺的独特FINFLEX技术。
它还具有N3P，性能增强版本，N3S，密度增强版本和N3X，这是2024年某个时候的超高性能版本。
台积电N2技术
台积电的N2技术承诺在相同功率下速度提高10-15%，或在N3技术相同速度下降低25-30%。该公司表示，N2将采用纳米片晶体管架构，以在性能和功率效率方面实现全节点改进。
除了移动计算基准版本外，N2技术平台还包括高性能变体，以及全面的小芯片集成解决方案。台积电N2技术预计将于2025年投入生产，风险生产预计将于2024年下半年投入生产。
此前的报道透露，苹果的A16芯片仍将采用5nm工艺。
台积电FINFLEX适用于N3和N3E
台积电表示，其N3 3nm工艺技术将于2022年晚些时候进入批量生产，将采用FINFLEX架构创新。这提供了具有不同标准单元的选择，这些电池具有3-2鳍配置以实现超高性能，2-1翅片配置可实现最佳功率效率和晶体管密度，以及2-2翅片配置，可在两者之间实现平衡以实现高效性能。
台积电表示，它正在开发N6e，这是工艺技术的下一次发展，旨在提供边缘AI和物联网设备所需的计算能力和能源效率。N6e将基于台积电先进的7nm工艺，预计其逻辑密度将比N12e高三倍。
它将作为台积电超低功耗平台的一部分，该平台是针对边缘AI和物联网应用的全面逻辑，RF，模拟，嵌入式非易失性存储器和电源管理IC解决方案组合。
N7芯片已经为CoW和WoW生产，对N5技术的支持计划于2023年。该公司表示，SoIC和其他台积电3DFabric系统集成服务，以及全球第一个全自动3DFabric工厂将于2022年下半年开始生产。
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