新型pSemi低于6GHz射频开关支持5G大规模MIMO基站中的混合架构

华风芬
导读 专注于半导体集成的 Murata 公司 pSemi® Corporation 扩展了其 RF SOI 开关产品组合,旨在用于最新的 5G 无线基础设施和大规

专注于半导体集成的 Murata 公司 pSemi® Corporation 扩展了其 RF SOI 开关产品组合,旨在用于最新的 5G 无线基础设施和大规模 MIMO 基站部署。通过在混合架构拓扑中使用新的高线性度开关,基站设计人员可以节省宝贵的电路板空间并改善热管理,从而降低整个系统的成本、重量和功耗。pSemi 的高级 SP4T 开关提供一流的线性度、插入损耗和功率处理性能,以提高低于 6 GHz 有源天线系统的频谱效率。

覆盖低于 6 GHz 的 5G 基站为网络提供商提供了获得更宽带宽和提高数据吞吐量的直接途径。新的 3 至 5 GHz 分配和增加的天线设计复杂性产生了对新的混合波束成形和相移拓扑的需求。大规模 MIMO 系统使用混合架构来最大限度地减少耗电的处理并减少功率放大器组件的数量。这些混合架构提供了和模拟的理想平衡,将波束成形的灵活性与模拟射频前端 (RFFE) 的功率效率和设计简单性相结合。

pSemi销售和营销副总裁Vikas Choudhary表示:“有源天线系统正在推动对 RFFE 组件的需求急剧增加,以及对先进 5G 网络的更严格的 FR1 开关要求。” “作为射频和毫米波交换领域的行业领导者,pSemi 不断突破 SOI 技术的界限,设计射频集成电路解决方案,为基站 OEM 提供支持,并支持 5G 及以后的需求。”

高线性度射频开关特性和优势

每个 UltraCMOS® PE42443和PE42444开关覆盖 1.8 至 5 GHz 的频率范围,在 n41、n77、n78 和 n79 频段提供行业领先的射频性能。PE42443(负电源电压和正电源电压)和 PE42444(仅正电源电压)提供两种引脚对引脚兼容的配置,采用 4 x 4 mm LGA 封装。

频谱效率——高线性度和高功率处理可最大限度地提高数据吞吐量。

节能——低插入损耗提高了整体系统效率。

灵活的波束管理——快速切换速度支持符号级模拟波束调整,以实现大规模 MIMO 系统。

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