导读 在2021 年第5届年度代工论坛(SFF)期间，三星介绍了基于全环栅(通用)晶体管结构的3纳米和2纳米工艺节点路线图。据该公司称，基于3纳米的芯
在2021 年第5届年度代工论坛(SFF)期间，三星介绍了基于全环栅(通用)晶体管结构的3纳米和2纳米工艺节点路线图。据该公司称，基于3纳米的芯片设计计划于2022 年上半年开始生产，而基于2纳米的芯片将于2025 年到货。
三星一直致力于将他们的工艺节点迁移到业界最新的工艺节点3纳米工艺节点将同时采用盖尔人运动协会技术和多桥通道场效应晶体管(MBCFET)技术，与5纳米工艺节点相比，面积减少了35%,性能提高了30%,功耗降低了50%。
三星代工厂将于2022 年开始为客户生产基于3纳米的芯片设计，该公司还预计第二代3纳米工艺将于2023 年上市。
在2纳米方面，据报道三星正处于多桥通道场效应管工艺节点开发的早期阶段，预计将于2025 年开始量产。实际上，这意味着最终消费者将从2026 年开始在设备中看到这些芯片。
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